异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511056510.5

申请日：

2025-07-30

公开(公告)号：

CN120568935B

公开(公告)日：

2025-09-23

发明(设计)人：

朱江鹏徐俞徐建喜王亮徐科

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H10H20/819 H01S5/30 H01S5/02

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

李志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/01申请日:20250730
2025-09-23	授权	授权
2025-08-29	公开	公开

共 50 条

[1]

异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P].

朱江鹏 ;

徐俞 ;

徐建喜 ;

王亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN120568935A ,2025-08-29

[2]

纳米线异质外延生长方法 [P].

任晓敏 ;

黄辉 ;

郭经纬 ;

叶显 ;

王琦 ;

蔡世伟 ;

黄永清 .

中国专利 :CN102040191A ,2011-05-04

[3]

氧化镓薄膜及其异质外延生长方法与应用 [P].

张晓东 ;

马永健 ;

李军帅 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112490112A ,2021-03-12

[4]

氧化镓的异质外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797195B ,2025-12-02

[5]

氧化镓的异质外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797195A ,2025-10-17

[6]

一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法 [P].

李磊 ;

胡晓东 ;

刘培基 ;

谢亚宏 ;

李丁 ;

贺永发 ;

杨志坚 ;

张国义 .

中国专利 :CN102492986A ,2012-06-13

[7]

InGaN/GaN异质外延结构及其生长方法 [P].

刘炜 ;

赵德刚 ;

陈平 ;

刘宗顺 ;

朱建军 ;

江德生 ;

杨静 .

中国专利 :CN108598192A ,2018-09-28

[8]

凹槽异质外延生长层制备方法 [P].

刘聪 ;

董信国 .

中国专利 :CN119811984A ,2025-04-11

[9]

用于异质外延生长的硅衬底的制作方法、硅衬底及应用 [P].

吴启花 ;

熊敏 .

中国专利 :CN117711916A ,2024-03-15

[10]

一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法 [P].

程再军 ;

罗杭 ;

郭榕榕 ;

郑荣升 ;

杨宇霖 .

中国专利 :CN118645423A ,2024-09-13

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