一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110397590.2

申请日：

2011-12-02

公开(公告)号：

CN102492986A

公开(公告)日：

2012-06-13

发明(设计)人：

李磊胡晓东刘培基谢亚宏李丁贺永发杨志坚张国义

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

C30B2518

IPC分类号：

C30B2504 C30B2938 H01L2102

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200

代理人：

余长江

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101298511336 IPC(主分类):C30B 25/18 专利申请号:2011103975902 申请日:20111202
2012-06-13	公开	公开
2014-05-28	授权	授权
2018-09-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 25/18 登记生效日:20180823 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学变更后权利人:北京飓芯科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号变更后权利人:100190 北京市海淀区中关村大街18号B座9层909室320号

共 50 条

[1]

异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P].

朱江鹏 ;

徐俞 ;

徐建喜 ;

王亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN120568935B ,2025-09-23

[2]

异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P].

朱江鹏 ;

徐俞 ;

徐建喜 ;

王亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN120568935A ,2025-08-29

[3]

一种3D叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法 [P].

张晓蓉 ;

郑烨琳 ;

冯筱 ;

陈明兰 .

中国专利 :CN112301325B ,2024-07-09

[4]

一种3D叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法 [P].

张晓蓉 ;

郑烨琳 ;

冯筱 ;

陈明兰 .

中国专利 :CN112301325A ,2021-02-02

[5]

一种外延层生长方法及外延层 [P].

杨静雯 ;

刘勇兴 ;

周毅 ;

黄嘉宏 ;

黄国栋 .

中国专利 :CN114032611A ,2022-02-11

[6]

外延层、外延层生长方法及半导体结构 [P].

赵旭熠 ;

王玮竹 ;

尚金铭 .

中国专利 :CN119800494A ,2025-04-11

[7]

一种双槽型3D图形叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法 [P].

张晓蓉 ;

郑烨琳 ;

冯筱 ;

陈明兰 .

中国专利 :CN112309828A ,2021-02-02

[8]

凹槽异质外延生长层制备方法 [P].

刘聪 ;

董信国 .

中国专利 :CN119811984A ,2025-04-11

[9]

LED外延层生长方法及LED外延层 [P].

张宇 ;

林传强 ;

农民涛 ;

周佐华 .

中国专利 :CN103952684B ,2014-07-30

[10]

LED外延层生长方法及LED外延层 [P].

农明涛 .

中国专利 :CN103996759A ,2014-08-20

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