外延层、外延层生长方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411927578.1

申请日：

2024-12-25

公开(公告)号：

CN119800494A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

赵旭熠王玮竹尚金铭

申请人：

上海新微半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号

IPC主分类号：

C30B25/02

IPC分类号：

C30B25/16 C30B25/18 C30B29/40 H01L21/02 H01L21/67

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

宋艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/02申请日:20241225
2025-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

衬底上外延层的生长方法及半导体结构 [P].

荣维龙 ;

李炜 ;

张昱 ;

曹亮 ;

王滔 .

中国专利 :CN119170485A ,2024-12-20

[2]

LED外延层生长方法及LED外延层 [P].

张宇 ;

林传强 ;

农民涛 ;

周佐华 .

中国专利 :CN103952684B ,2014-07-30

[3]

LED外延层生长方法及LED外延层 [P].

农明涛 .

中国专利 :CN103996759A ,2014-08-20

[4]

一种半导体结构外延层的再生长方法 [P].

冷祥 ;

李明欣 ;

魏明 .

中国专利 :CN118969640B ,2025-02-14

[5]

一种半导体结构外延层的再生长方法 [P].

冷祥 ;

李明欣 ;

魏明 .

中国专利 :CN118969640A ,2024-11-15

[6]

一种外延层生长方法及外延层 [P].

杨静雯 ;

刘勇兴 ;

周毅 ;

黄嘉宏 ;

黄国栋 .

中国专利 :CN114032611A ,2022-02-11

[7]

硅外延生长方法及半导体结构 [P].

宋洋 ;

马雁飞 ;

叶康 .

中国专利 :CN110544620A ,2019-12-06

[8]

半导体外延结构和半导体外延生长方法 [P].

张海林 ;

陈龙 ;

刘庆波 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN120187055A ,2025-06-20

[9]

本征外延生长方法、半导体结构和半导体器件 [P].

陆爱军 .

中国专利 :CN119811985A ,2025-04-11

[10]

外延层形成方法及半导体结构 [P].

刘峰松 ;

梁博 ;

史超 ;

王海红 .

中国专利 :CN103943471A ,2014-07-23

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