外延层形成方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410189309.X

申请日：

2014-05-06

公开(公告)号：

CN103943471A

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

刘峰松梁博史超王海红

申请人：

申请人地址：

200233 上海市徐汇区虹漕路385号

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-23	公开	公开
2021-05-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/265 登记生效日:20210425 变更事项:专利权人变更前权利人:上海先进半导体制造有限公司变更后权利人:上海积塔半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:200233 上海市徐汇区虹漕路385号变更后权利人:200120 上海市浦东新区云水路600号
2017-05-10	授权	授权
2014-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584549060 IPC(主分类):H01L 21/265 专利申请号:201410189309X 申请日:20140506
2021-05-07	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/265 变更事项:专利权人变更前:上海先进半导体制造股份有限公司变更后:上海先进半导体制造有限公司变更事项:地址变更前:200233 上海市徐汇区虹漕路385号变更后:200233 上海市徐汇区虹漕路385号

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN114520148B ,2024-12-24

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

霍彦辰 ;

贾超超 ;

焦圣杰 .

中国专利 :CN120261266A ,2025-07-04

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘震宇 .

中国专利 :CN114256347A ,2022-03-29

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

郑利平 .

中国专利 :CN119967835A ,2025-05-09

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN114256350A ,2022-03-29

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

苏博 ;

于海龙 .

中国专利 :CN115881540B ,2025-11-21

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

司进 ;

殷立强 ;

崇二敏 ;

张海洋 .

中国专利 :CN117954384A ,2024-04-30

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN114520148A ,2022-05-20

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

任烨 ;

吴旭升 .

中国专利 :CN117393566A ,2024-01-12

[10]

半导体结构的形成方法及晶片 [P].

罗益全 ;

帕拉范苏莫汉塔 ;

陈旻聪 ;

谢江河 ;

陈京玉 ;

叶佳灵 .

中国专利 :CN113889409A ,2022-01-04

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