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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310960764.4
申请日：
2023-08-01
公开(公告)号：
CN117393566A
公开(公告)日：
2024-01-12
发明(设计)人：
任烨
吴旭升
申请人：
北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢一层
IPC主分类号：
H01L27/092
IPC分类号：
H01L27/098
H01L21/8234
代理机构：
北京市一法律师事务所 11654
代理人：
刘荣娟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/092申请日:20230801 |
| 2024-01-12 | 公开 | 公开 |