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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510361923.8
申请日：
2025-03-25
公开(公告)号：
CN120261266A
公开(公告)日：
2025-07-04
发明(设计)人：
霍彦辰
贾超超
焦圣杰
申请人：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H01L21/265
C23C14/48
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
陈丽丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-22 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250325 |
| 2025-07-04 | 公开 | 公开 |