半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710233370.3

申请日：

2017-04-11

公开(公告)号：

CN108695258B

公开(公告)日：

2018-10-23

发明(设计)人：

魏琰宋化龙徐唯佳

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092 H01L2906 H01L2908

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20170411
2020-11-03	授权	授权
2018-10-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN110718464A ,2020-01-21

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

吴端毅 .

中国专利 :CN109285811B ,2019-01-29

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN112017962B ,2025-05-27

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN111725313B ,2024-06-25

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN112309845A ,2021-02-02

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

呼翔 .

中国专利 :CN114068497A ,2022-02-18

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108305830A ,2018-07-20

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

雒曲 ;

谢文浩 .

中国专利 :CN113690185A ,2021-11-23

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN107039521A ,2017-08-11

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111554635A ,2020-08-18

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