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半导体结构及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910459875.0
申请日：
2019-05-30
公开(公告)号：
CN112017962B
公开(公告)日：
2025-05-27
发明(设计)人：
赵猛
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H01L21/265 H10D30/60
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静;李丽
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-27 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN112017962A ,2020-12-01
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李勇 ;
林仰魁 .
中国专利 :CN108695253A ,2018-10-23
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN112825327A ,2021-05-21
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN108630606A ,2018-10-09
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN112825327B ,2024-10-01
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN111435645A ,2020-07-21
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN112309845A ,2021-02-02
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
梅晓波 ;
唐钱芳 ;
彭宇强 ;
时旭 .
中国专利 :CN117750754A ,2024-03-22
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN107785313B ,2018-03-09
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
梅周洲舟 ;
陈一宁 ;
高大为 .
中国专利 :CN118281078A ,2024-07-02
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