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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010762870.8
申请日：
2020-07-31
公开(公告)号：
CN114068497A
公开(公告)日：
2022-02-18
发明(设计)人：
呼翔
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2364
IPC分类号：
H01L4902
H01L2182
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-03-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/64 申请日:20200731 |
| 2022-02-18 | 公开 | 公开 |