半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411242715.8

申请日：

2024-09-05

公开(公告)号：

CN119230596A

公开(公告)日：

2024-12-31

发明(设计)人：

江宏礼李宗恩王哲夫郑兆钦拉杜·安娜庄正吉张智胜蔡庆威

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L27/088 H01L21/8234

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-31	公开	公开
2025-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/423申请日:20240905

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

王志豪 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113224057A ,2021-08-06

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

黄腾 .

中国专利 :CN110660673A ,2020-01-07

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯道欢 ;

窦涛 .

中国专利 :CN118102707A ,2024-05-28

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯道欢 ;

蒋懿 ;

肖德元 .

中国专利 :CN118870800A ,2024-10-29

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

樊永帅 ;

付宇 ;

柴杉杉 ;

薛晓凡 .

中国专利 :CN120456575A ,2025-08-08

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN113314611B ,2025-03-04

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·阿塞法 ;

W·M·J·格林 ;

M·H·哈提尔 ;

Y·A·弗拉索夫 .

中国专利 :CN103576344A ,2014-02-12

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯道欢 ;

蒋懿 ;

肖德元 .

中国专利 :CN118870800B ,2025-09-19

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN118338647A ,2024-07-12

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

呼翔 .

中国专利 :CN114068497A ,2022-02-18

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