半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110443667.9

申请日：

2021-04-23

公开(公告)号：

CN113224057A

公开(公告)日：

2021-08-06

发明(设计)人：

陈冠霖江国诚朱熙甯王志豪程冠伦

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20210423
2021-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

王志豪 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113224057B ,2024-11-08

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

樊永帅 ;

付宇 ;

柴杉杉 ;

薛晓凡 .

中国专利 :CN120456575A ,2025-08-08

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

姚茜甯 ;

杨柏峰 ;

杨世海 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113192888A ,2021-07-30

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN118338647A ,2024-07-12

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

游明华 ;

黄泰钧 ;

陈建豪 ;

顾克强 ;

李志鸿 ;

叶凌彦 ;

李资良 .

中国专利 :CN101312191A ,2008-11-26

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN118102706A ,2024-05-28

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

萧茹雄 ;

苏庆煌 ;

苏斌嘉 ;

卢颕新 ;

黄一珊 .

中国专利 :CN113345962B ,2024-08-23

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

游佳达 ;

徐晓秋 ;

杨丰诚 .

中国专利 :CN113380796A ,2021-09-10

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

王文博 .

中国专利 :CN114864653A ,2022-08-05

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109950313A ,2019-06-28

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