半导体结构及其形成方法

被引：0

申请号：

CN202110148369.7

申请日：

2021-02-03

公开(公告)号：

CN114864653A

公开(公告)日：

2022-08-05

发明(设计)人：

王文博

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

北京市一法律师事务所 11654

代理人：

刘荣娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210203
2022-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113496885B ,2024-03-22

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113496885A ,2021-10-12

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

李智 ;

侯艳红 ;

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN117672858A ,2024-03-08

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

董秋立 ;

周亦康 ;

吴旭升 .

中国专利 :CN118042922A ,2024-05-14

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

丁亚 ;

杨林宏 ;

张艳红 ;

杜义琛 ;

陈秋颖 .

中国专利 :CN117672973A ,2024-03-08

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

隋凯 ;

阎大勇 ;

赵娅俊 ;

王金恩 ;

强力 ;

史鲁斌 .

中国专利 :CN118156145A ,2024-06-07

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

李浩南 ;

张永杰 ;

周永昌 ;

黄晓辉 ;

董琪琪 .

中国专利 :CN117393580A ,2024-01-12

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

李艳楠 ;

张艳红 ;

陈秋颖 ;

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN114078747A ,2022-02-22

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

李浩南 ;

彭定康 ;

李晓冈 ;

张永杰 .

中国专利 :CN118888448A ,2024-11-01

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

成明 .

中国专利 :CN114256253A ,2022-03-29

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