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半导体结构及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010815465.8
申请日：
2020-08-14
公开(公告)号：
CN114078747A
公开(公告)日：
2022-02-22
发明(设计)人：
李艳楠 张艳红 陈秋颖 陈亮 杨林宏
申请人：
申请人地址：
300385 天津市西青区兴华道19号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L23522
代理机构：
北京市一法律师事务所 11654
代理人：
刘荣娟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-02-22 公开 公开
2022-03-11 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20200814
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
董秋立 ;
周亦康 ;
吴旭升 .
中国专利 :CN118042922A ,2024-05-14
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
隋凯 ;
阎大勇 ;
赵娅俊 ;
王金恩 ;
强力 ;
史鲁斌 .
中国专利 :CN118156145A ,2024-06-07
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李智 ;
侯艳红 ;
陈亮 ;
杨林宏 .
中国专利 :CN117672858A ,2024-03-08
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王文博 .
中国专利 :CN114864653A ,2022-08-05
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
丁亚 ;
杨林宏 ;
张艳红 ;
杜义琛 ;
陈秋颖 .
中国专利 :CN117672973A ,2024-03-08
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
魏兰英 .
中国专利 :CN113496885B ,2024-03-22
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
魏兰英 .
中国专利 :CN113496885A ,2021-10-12
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李浩南 ;
张永杰 ;
周永昌 ;
黄晓辉 ;
董琪琪 .
中国专利 :CN117393580A ,2024-01-12
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李浩南 ;
彭定康 ;
李晓冈 ;
张永杰 .
中国专利 :CN118888448A ,2024-11-01
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
成明 .
中国专利 :CN114256253A ,2022-03-29
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