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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410919340.8
申请日：
2024-07-09
公开(公告)号：
CN118888448A
公开(公告)日：
2024-11-01
发明(设计)人：
李浩南
彭定康
李晓冈
张永杰
申请人：
飞锃半导体（上海）有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L29/78
代理机构：
北京市一法律师事务所 11654
代理人：
刘荣娟
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-01 | 公开 | 公开 |
| 2024-11-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240709 |