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半导体结构及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310429324.6
申请日：
2023-04-17
公开(公告)号：
CN118870800A
公开(公告)日：
2024-10-29
发明(设计)人：
冯道欢 蒋懿 肖德元
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-19 授权 授权
2024-10-29 公开 公开
2024-11-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230417
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
冯道欢 ;
蒋懿 ;
肖德元 .
中国专利 :CN118870800B ,2025-09-19
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
冯道欢 .
中国专利 :CN118870801A ,2024-10-29
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
冯道欢 .
中国专利 :CN118870801B ,2025-10-03
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
S·阿塞法 ;
W·M·J·格林 ;
M·H·哈提尔 ;
Y·A·弗拉索夫 .
中国专利 :CN103576344A ,2014-02-12
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
肖德元 ;
曹堪宇 .
中国专利 :CN117337024A ,2024-01-02
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
利迪贾·塞卡里克 ;
杜雷塞提·奇德姆巴拉奥 ;
刘小虎 .
中国专利 :CN101859770A ,2010-10-13
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
华文宇 ;
丁潇 .
中国专利 :CN117042451B ,2024-02-02
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN118401092A ,2024-07-26
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
H·杰加纳森 ;
S·K·卡纳卡萨巴帕斯 .
中国专利 :CN103258852A ,2013-08-21
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
胡连峰 .
中国专利 :CN113594365A ,2021-11-02
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