半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310429331.6

申请日：

2023-04-17

公开(公告)号：

CN118870801B

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

冯道欢

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	授权	授权
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230417
2024-10-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯道欢 .

中国专利 :CN118870801A ,2024-10-29

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯道欢 ;

蒋懿 ;

肖德元 .

中国专利 :CN118870800A ,2024-10-29

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯道欢 ;

蒋懿 ;

肖德元 .

中国专利 :CN118870800B ,2025-09-19

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

华文宇 ;

丁潇 .

中国专利 :CN117042451B ,2024-02-02

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·W·比德尔 ;

B·赫克玛特绍塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103730403B ,2014-04-16

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN118401092A ,2024-07-26

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

王志豪 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113224057A ,2021-08-06

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

H·杰加纳森 ;

S·K·卡纳卡萨巴帕斯 .

中国专利 :CN103258852A ,2013-08-21

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡连峰 .

中国专利 :CN113594365A ,2021-11-02

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘宇恒 ;

左明光 .

中国专利 :CN114023691B ,2022-02-08

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