半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310478378.8

申请日：

2013-10-14

公开(公告)号：

CN103730403B

公开(公告)日：

2014-04-16

发明(设计)人：

S·W·比德尔 B·赫克玛特绍塔巴里 A·卡基菲鲁兹 G·G·沙希迪 D·沙赫莉亚迪

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2712 H01L29786

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

于静;张亚非

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-16	公开	公开
2014-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582229807 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2013104783788 申请日:20131014
2020-10-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20131014 授权公告日:20170412 终止日期:20191014
2017-04-12	授权	授权
2017-11-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20171103 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2017-11-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20171103 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

戴维·V.·霍拉克 ;

马克·C.·哈克 ;

斯蒂芬·J.·霍姆斯 ;

古川俊治 ;

查尔斯·W.克伯格三世 ;

威廉·罗伯特·汤迪 .

中国专利 :CN1983530A ,2007-06-20

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

L·塞卡里克 ;

T·巴维克兹 ;

D·齐达姆巴劳 .

中国专利 :CN101859707B ,2010-10-13

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘宇恒 ;

左明光 .

中国专利 :CN114023691B ,2022-02-08

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 .

中国专利 :CN113707714A ,2021-11-26

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨智超 ;

S·M·盖茨 .

中国专利 :CN103579180A ,2014-02-12

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

林玮 ;

S.斯科达斯 ;

T.A.沃 .

中国专利 :CN104218023B ,2014-12-17

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

林政明 ;

温伟源 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN119947227A ,2025-05-06

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

林高照 ;

何企伟 ;

蔡侑廷 ;

翁敬哲 ;

谢佳达 .

中国专利 :CN119364772A ,2025-01-24

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 .

中国专利 :CN113707714B ,2024-05-03

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

邱彦睿 ;

赖德洋 ;

李安 ;

吴俊毅 ;

陈书涵 ;

李达元 ;

徐志安 .

中国专利 :CN118888515A ,2024-11-01

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