半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411334815.3

申请日：

2024-09-24

公开(公告)号：

CN119364772A

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

林高照何企伟蔡侑廷翁敬哲谢佳达

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10B63/00

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 63/00申请日:20240924
2025-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·W·比德尔 ;

B·赫克玛特绍塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103730403B ,2014-04-16

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

吴忠育 ;

曾自立 ;

林俐齐 .

中国专利 :CN114999997A ,2022-09-02

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

王超鸿 ;

林榆瑄 ;

李岱萤 .

中国专利 :CN111446258A ,2020-07-24

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

J·R·霍尔特 ;

O·C·奥扬 .

中国专利 :CN100461430C ,2006-09-27

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡希圣 ;

杨思齐 ;

郑铭龙 .

中国专利 :CN120835589A ,2025-10-24

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

阎海涛 ;

马丽莎 .

中国专利 :CN115692432A ,2023-02-03

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

朱一明 ;

王晓光 .

中国专利 :CN114695353A ,2022-07-01

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

谈亚丽 ;

李辉辉 ;

孟皓 .

中国专利 :CN120358740A ,2025-07-22

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

许忠龙 ;

陈旷举 ;

刘汉英 .

中国专利 :CN119364790A ,2025-01-24

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

李振铭 .

中国专利 :CN119108347A ,2024-12-10

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