半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411125336.0

申请日：

2024-08-16

公开(公告)号：

CN119108347A

公开(公告)日：

2024-12-10

发明(设计)人：

李振铭

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21/8234

IPC分类号：

H01L27/088

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	公开	公开
2024-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8234申请日:20240816

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 .

中国专利 :CN113707714A ,2021-11-26

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

李晓杰 .

中国专利 :CN117715406A ,2024-03-15

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 .

中国专利 :CN113707714B ,2024-05-03

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

T·巴尔维奇 ;

D·K·萨达那 .

中国专利 :CN101383356B ,2009-03-11

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·W·比德尔 ;

B·赫克玛特绍塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103730403B ,2014-04-16

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

谈亚丽 ;

李辉辉 ;

孟皓 .

中国专利 :CN120358740A ,2025-07-22

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

许忠龙 ;

陈旷举 ;

刘汉英 .

中国专利 :CN119364790A ,2025-01-24

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

王志豪 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113224057A ,2021-08-06

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111081546B ,2024-01-26

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯道欢 ;

窦涛 .

中国专利 :CN118102707A ,2024-05-28

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