半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510472452.8

申请日：

2025-04-15

公开(公告)号：

CN120358740A

公开(公告)日：

2025-07-22

发明(设计)人：

谈亚丽李辉辉孟皓

申请人：

长鑫科技集团股份有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10B10/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20250415
2025-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

张焕云 ;

吴健 .

中国专利 :CN110085555A ,2019-08-02

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN105826176B ,2016-08-03

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 ;

周永昌 .

中国专利 :CN116313810B ,2025-12-16

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109427675A ,2019-03-05

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN104037084A ,2014-09-10

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

景友亮 .

中国专利 :CN113764279B ,2024-11-01

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 .

中国专利 :CN106711245B ,2017-05-24

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

李晓杰 .

中国专利 :CN115312466A ,2022-11-08

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

韩秋华 ;

王梓 .

中国专利 :CN111435651A ,2020-07-21

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

景友亮 .

中国专利 :CN113764279A ,2021-12-07

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