半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510437373.X

申请日：

2015-07-23

公开(公告)号：

CN106711245B

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

张海洋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L310232

IPC分类号：

H01L310216 H01L3118 H01L21268

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	公开	公开
2017-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727791459 IPC(主分类):H01L 31/0232 专利申请号:201510437373X 申请日:20150723
2018-01-02	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

李晓杰 .

中国专利 :CN115312466A ,2022-11-08

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106409755B ,2017-02-15

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN104347508A ,2015-02-11

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 .

中国专利 :CN106298470A ,2017-01-04

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

谈亚丽 ;

李辉辉 ;

孟皓 .

中国专利 :CN120358740A ,2025-07-22

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

宋以斌 .

中国专利 :CN105702630B ,2016-06-22

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨号号 ;

王恩博 ;

张勇 ;

陶谦 ;

胡禺石 ;

吕震宇 ;

卢峰 .

中国专利 :CN108538848B ,2024-01-16

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

宛强 ;

夏军 ;

占康澍 ;

唐德键 ;

刘晓红 ;

刘洋浩 .

中国专利 :CN117677182A ,2024-03-08

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

时贺光 ;

郝静安 .

中国专利 :CN113764260B ,2024-12-03

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

时贺光 ;

郝静安 .

中国专利 :CN113764260A ,2021-12-07

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