半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510274780.3

申请日：

2015-05-26

公开(公告)号：

CN106298470A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

张海洋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2104

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-26	授权	授权
2017-01-04	公开	公开
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700780208 IPC(主分类):H01L 21/04 专利申请号:2015102747803 申请日:20150526

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 .

中国专利 :CN106711245B ,2017-05-24

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106409755B ,2017-02-15

[3]

半导体结构及其的形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN107275279A ,2017-10-20

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

宋以斌 .

中国专利 :CN105702630B ,2016-06-22

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

李晓杰 .

中国专利 :CN115312466A ,2022-11-08

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨号号 ;

王恩博 ;

张勇 ;

陶谦 ;

胡禺石 ;

吕震宇 ;

卢峰 .

中国专利 :CN108538848B ,2024-01-16

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨号号 ;

王恩博 ;

张勇 ;

陶谦 ;

胡禺石 ;

吕震宇 ;

卢峰 .

中国专利 :CN108538848A ,2018-09-14

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

王锦喆 ;

马莹 .

中国专利 :CN120358792A ,2025-07-22

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN104347508A ,2015-02-11

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

王锦喆 ;

马莹 .

中国专利 :CN120614875A ,2025-09-09

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