半导体结构及其的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610216906.6

申请日：

2016-04-08

公开(公告)号：

CN107275279A

公开(公告)日：

2017-10-20

发明(设计)人：

周鸣

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23532

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20160408
2017-10-20	公开	公开
2020-04-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

宋以斌 .

中国专利 :CN105702630B ,2016-06-22

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 .

中国专利 :CN106711245B ,2017-05-24

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106409755B ,2017-02-15

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 .

中国专利 :CN106298470A ,2017-01-04

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN105244254B ,2016-01-13

[6]

半导体结构的形成方法、半导体功率器件及其形成方法 [P].

晋虎 ;

万欣 .

中国专利 :CN120813026A ,2025-10-17

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

郑喆 .

中国专利 :CN106206304A ,2016-12-07

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘继全 ;

龚春蕾 .

中国专利 :CN107039275B ,2017-08-11

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN103165514A ,2013-06-19

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

朱一明 ;

王晓光 .

中国专利 :CN114695353A ,2022-07-01

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