半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410325768.6

申请日：

2014-07-09

公开(公告)号：

CN105244254B

公开(公告)日：

2016-01-13

发明(设计)人：

邓浩

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21033

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101645682969 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014103257686 申请日:20140709
2018-10-16	授权	授权
2016-01-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其的形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN107275279A ,2017-10-20

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN103367232A ,2013-10-23

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106033742A ,2016-10-19

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103839878B ,2014-06-04

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105762107A ,2016-07-13

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

肖芳元 .

中国专利 :CN119521750A ,2025-02-25

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

何其暘 .

中国专利 :CN105720000A ,2016-06-29

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

戎军辉 ;

王云枫 ;

印杰 .

中国专利 :CN117577513A ,2024-02-20

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

朱华宁 ;

姚绍康 ;

王奇伟 .

中国专利 :CN114823286A ,2022-07-29

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN115483090A ,2022-12-16

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