半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210492711.6

申请日：

2012-11-27

公开(公告)号：

CN103839878B

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

洪中山

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	公开	公开
2017-07-14	授权	授权
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583369129 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012104927116 申请日:20121127

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106033742A ,2016-10-19

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105762107A ,2016-07-13

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

王新鹏 ;

潘晶 ;

王琪 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN104425366A ,2015-03-18

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

黄秋平 ;

卞祖洋 .

中国专利 :CN105374675A ,2016-03-02

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN103531444B ,2014-01-22

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

黄秋平 ;

卞祖洋 .

中国专利 :CN103606534B ,2014-02-26

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

何其暘 .

中国专利 :CN104425371B ,2015-03-18

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

三重野文健 ;

周梅生 .

中国专利 :CN103579074A ,2014-02-12

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

焦明洁 ;

刘佳磊 .

中国专利 :CN103594361A ,2014-02-19

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106158725B ,2016-11-23

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