半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410802055.4

申请日：

2014-12-18

公开(公告)号：

CN105762107A

公开(公告)日：

2016-07-13

发明(设计)人：

禹国宾

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-13	公开	公开
2019-12-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20160713
2016-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101673502696 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2014108020554 申请日:20141218

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113053816B ,2021-06-29

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106033742A ,2016-10-19

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103839878B ,2014-06-04

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

王新鹏 ;

潘晶 ;

王琪 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN104425366A ,2015-03-18

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

武咏琴 ;

卜伟海 .

中国专利 :CN114446790B ,2025-09-26

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN106856167B ,2017-06-16

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

黄秋平 ;

卞祖洋 .

中国专利 :CN105374675A ,2016-03-02

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN103531444B ,2014-01-22

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

黄秋平 ;

卞祖洋 .

中国专利 :CN103606534B ,2014-02-26

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

何其暘 .

中国专利 :CN104425371B ,2015-03-18

← 1 2 3 4 5 →