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半导体结构的形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311007819.6
申请日：
2023-08-10
公开(公告)号：
CN119521750A
公开(公告)日：
2025-02-25
发明(设计)人：
肖芳元
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H10D84/03
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-25 公开 公开
2025-03-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20230810
共 50 条
[1]
半导体结构的形成方法 [P]. 
吴轶超 .
中国专利 :CN117672829A ,2024-03-08
[2]
半导体结构的形成方法 [P]. 
司进 ;
谭程 ;
崇二敏 ;
王彦 ;
张海洋 .
中国专利 :CN118281045A ,2024-07-02
[3]
半导体结构的形成方法 [P]. 
范义秋 .
中国专利 :CN118841370A ,2024-10-25
[4]
半导体结构的形成方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN106571298A ,2017-04-19
[5]
半导体结构的形成方法 [P]. 
戴俭 ;
吴永玉 ;
陶然 ;
汪沛 ;
吕军军 .
中国专利 :CN119092460A ,2024-12-06
[6]
半导体结构的形成方法 [P]. 
戴俭 ;
吴永玉 ;
陶然 ;
汪沛 ;
吕军军 .
中国专利 :CN119092460B ,2025-12-02
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
三重野文健 ;
周永昌 .
中国专利 :CN116313810B ,2025-12-16
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
樊永帅 ;
付宇 ;
柴杉杉 ;
薛晓凡 .
中国专利 :CN120456575A ,2025-08-08
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
何其旸 .
中国专利 :CN104037084A ,2014-09-10
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
谭程 ;
张昕哲 ;
司进 ;
纪世良 ;
张海洋 .
中国专利 :CN118280994A ,2024-07-02
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