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半导体结构的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310445188.X
申请日：
2023-04-23
公开(公告)号：
CN118841370A
公开(公告)日：
2024-10-25
发明(设计)人：
范义秋
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21/8234
IPC分类号：
H01L21/306
H01L21/3065
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8234申请日:20230423 |
| 2024-10-25 | 公开 | 公开 |