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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310403143.6
申请日：
2023-04-14
公开(公告)号：
CN116313810B
公开(公告)日：
2025-12-16
发明(设计)人：
三重野文健
周永昌
申请人：
飞锃半导体（上海）有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/60
H01L21/265
代理机构：
北京市一法律师事务所 11654
代理人：
刘荣娟
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-16 | 授权 | 授权 |