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半导体结构及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202011068757.6
申请日：
2020-10-09
公开(公告)号：
CN114334819A
公开(公告)日：
2022-04-12
发明(设计)人：
许亮
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L218234
IPC分类号：
H01L2156 H01L27088 H01L2331
代理机构：
北京市一法律师事务所 11654
代理人：
刘荣娟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-04-12 公开 公开
2022-04-29 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20201009
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
三重野文健 ;
周永昌 .
中国专利 :CN116313810B ,2025-12-16
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张庆超 ;
周亦康 .
中国专利 :CN117577527A ,2024-02-20
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张庆超 ;
周亦康 ;
李骥 .
中国专利 :CN120358758A ,2025-07-22
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴晗 .
中国专利 :CN113517289A ,2021-10-19
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
何其旸 .
中国专利 :CN104037084A ,2014-09-10
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
邓浩 .
中国专利 :CN106856191A ,2017-06-16
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
董秋立 ;
周亦康 ;
吴旭升 .
中国专利 :CN118042922A ,2024-05-14
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王健 ;
吴旭升 ;
刘陶然 .
中国专利 :CN120933232A ,2025-11-11
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
魏兰英 .
中国专利 :CN113053816B ,2021-06-29
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
汪涵 ;
杨芸 ;
郑凯 ;
任烨 .
中国专利 :CN113764529A ,2021-12-07
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