半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410081817.X

申请日：

2024-01-19

公开(公告)号：

CN120358758A

公开(公告)日：

2025-07-22

发明(设计)人：

张庆超周亦康李骥

申请人：

北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢一层

IPC主分类号：

H10D10/01

IPC分类号：

H01L21/28 H10D62/17 H10D62/13 H10D10/80 H10D64/23

代理机构：

北京市一法律师事务所 11654

代理人：

刘荣娟

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	公开	公开
2025-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 10/01申请日:20240119

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

张庆超 ;

周亦康 .

中国专利 :CN117577527A ,2024-02-20

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 ;

周永昌 .

中国专利 :CN116313810B ,2025-12-16

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

许亮 .

中国专利 :CN114334819A ,2022-04-12

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

吴晗 .

中国专利 :CN113517289A ,2021-10-19

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN104037084A ,2014-09-10

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN106856191A ,2017-06-16

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

董秋立 ;

周亦康 ;

吴旭升 .

中国专利 :CN118042922A ,2024-05-14

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

王健 ;

吴旭升 ;

刘陶然 .

中国专利 :CN120933232A ,2025-11-11

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113053816B ,2021-06-29

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

汪涵 ;

杨芸 ;

郑凯 ;

任烨 .

中国专利 :CN113764529A ,2021-12-07

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