半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510465541.6

申请日：

2015-07-31

公开(公告)号：

CN106409755B

公开(公告)日：

2017-02-15

发明(设计)人：

张海洋张城龙

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23532

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-15	公开	公开
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101707276681 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2015104655416 申请日:20150731
2019-07-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

宋以斌 .

中国专利 :CN105702630B ,2016-06-22

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 .

中国专利 :CN106711245B ,2017-05-24

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105609431A ,2016-05-25

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN111834331B ,2020-10-27

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106558584A ,2017-04-05

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN112951981B ,2025-07-04

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN112951981A ,2021-06-11

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 ;

施雪捷 .

中国专利 :CN113764280A ,2021-12-07

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

余云初 ;

沈忆华 ;

潘见 ;

傅丰华 .

中国专利 :CN106611712A ,2017-05-03

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

于海龙 ;

荆学珍 ;

张浩 ;

张田田 ;

孟晋辉 .

中国专利 :CN114203814A ,2022-03-18

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