半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410244779.5

申请日：

2024-03-04

公开(公告)号：

CN120614875A

公开(公告)日：

2025-09-09

发明(设计)人：

王锦喆马莹

申请人：

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司中芯京城集成电路制造（北京）有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H10D86/00

IPC分类号：

H10D86/01

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 86/00申请日:20240304
2025-09-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 .

中国专利 :CN106711245B ,2017-05-24

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

李晓杰 .

中国专利 :CN115312466A ,2022-11-08

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨号号 ;

王恩博 ;

张勇 ;

陶谦 ;

胡禺石 ;

吕震宇 ;

卢峰 .

中国专利 :CN108538848B ,2024-01-16

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨号号 ;

王恩博 ;

张勇 ;

陶谦 ;

胡禺石 ;

吕震宇 ;

卢峰 .

中国专利 :CN108538848A ,2018-09-14

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

王锦喆 ;

马莹 .

中国专利 :CN120358792A ,2025-07-22

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN104347508A ,2015-02-11

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

邵光速 ;

肖德元 .

中国专利 :CN114927478A ,2022-08-19

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵君红 .

中国专利 :CN114141873A ,2022-03-04

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

张城龙 .

中国专利 :CN108122824A ,2018-06-05

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·W·比德尔 ;

B·赫克玛特绍塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103730403B ,2014-04-16

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