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半导体结构及其形成方法
被引：0
申请号：
CN202110591840.X
申请日：
2021-05-28
公开(公告)号：
CN114999997A
公开(公告)日：
2022-09-02
发明(设计)人：
吴忠育
曾自立
林俐齐
申请人：
申请人地址：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
H01L21768
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
浦彩华;姚开丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-02 | 公开 | 公开 |
| 2022-09-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20210528 |