学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

半导体结构及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510294702.3
申请日：
2025-03-13
公开(公告)号：
CN119786339A
公开(公告)日：
2025-04-08
发明(设计)人：
阮钢 马亚强 罗钦贤 苏圣哲
申请人：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址：
230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号：
H01L21/033
IPC分类号：
H10D84/03 H10D84/83
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
赵素香
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
天津市 市辖区
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/033申请日:20250313
2025-05-16 授权 授权
2025-04-08 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
阮钢 ;
马亚强 ;
罗钦贤 ;
苏圣哲 .
中国专利 :CN119786339B ,2025-05-16
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴忠育 ;
曾自立 ;
林俐齐 .
中国专利 :CN114999997A ,2022-09-02
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
禹国宾 .
中国专利 :CN105870005B ,2016-08-17
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
刘佳磊 .
中国专利 :CN105826236A ,2016-08-03
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
何永根 .
中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
何永根 .
中国专利 :CN105655398A ,2016-06-08
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
雒曲 ;
谢文浩 .
中国专利 :CN113690185A ,2021-11-23
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
刘中元 .
中国专利 :CN118712196A ,2024-09-27
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王文博 ;
卜伟海 ;
俞少峰 .
中国专利 :CN103811322A ,2014-05-21
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张中怀 ;
陈文豪 ;
陈健源 ;
周学良 .
中国专利 :CN119967862A ,2025-05-09
12345