学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

半导体结构及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202210133314.3
申请日：
2022-02-11
公开(公告)号：
CN114927497A
公开(公告)日：
2022-08-19
发明(设计)人：
陈怡秀 邱文智 余振华
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L23538
IPC分类号：
H01L2148
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-06 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20220211
2022-08-19 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴忠育 ;
曾自立 ;
林俐齐 .
中国专利 :CN114999997A ,2022-09-02
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李宛谕 ;
林大玄 ;
曾华伟 ;
吴伟诚 .
中国专利 :CN119852241A ,2025-04-18
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
杜孟哲 ;
叶柏男 ;
王博汉 ;
胡毓祥 ;
郭宏瑞 .
中国专利 :CN119517760A ,2025-02-25
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴轶超 ;
张天豪 .
中国专利 :CN111446204A ,2020-07-24
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
时贺光 ;
郝静安 .
中国专利 :CN113097064B ,2021-07-09
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
韩秋华 .
中国专利 :CN112151382A ,2020-12-29
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
韩秋华 .
中国专利 :CN112151382B ,2024-08-23
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
刘盼盼 .
中国专利 :CN113327850B ,2024-11-22
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
刘盼盼 .
中国专利 :CN113327850A ,2021-08-31
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
江涛 .
中国专利 :CN111106158A ,2020-05-05
12345