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半导体结构及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202110844892.3
申请日：
2021-07-26
公开(公告)号：
CN115692432A
公开(公告)日：
2023-02-03
发明(设计)人：
蔡巧明 阎海涛 马丽莎
申请人：
申请人地址：
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢
IPC主分类号：
H01L27146
IPC分类号：
代理机构：
北京市一法律师事务所 11654
代理人：
刘荣娟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2023-02-03 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
宋春 .
中国专利 :CN115692307A ,2023-02-03
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
米红星 ;
王鹏 ;
李洋 ;
吴琼 ;
郑磊 .
中国专利 :CN117790400A ,2024-03-29
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
陈勇 .
中国专利 :CN113764530A ,2021-12-07
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
何永根 .
中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
何永根 .
中国专利 :CN105655398A ,2016-06-08
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
雒曲 ;
谢文浩 .
中国专利 :CN113690185A ,2021-11-23
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
刘中元 .
中国专利 :CN118712196A ,2024-09-27
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李智 ;
侯艳红 ;
陈亮 ;
杨林宏 .
中国专利 :CN117672858A ,2024-03-08
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
刘长宇 ;
陈亮 ;
周朝锋 ;
曹恒 ;
徐进 ;
荆达 .
中国专利 :CN113471207A ,2021-10-01
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
魏兰英 .
中国专利 :CN113053816B ,2021-06-29
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