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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201310478378.8
申请日：
2013-10-14
公开(公告)号：
CN103730403B
公开(公告)日：
2014-04-16
发明(设计)人：
S·W·比德尔
B·赫克玛特绍塔巴里
A·卡基菲鲁兹
G·G·沙希迪
D·沙赫莉亚迪
申请人：
申请人地址：
美国纽约
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
H01L2712
H01L29786
代理机构：
北京市中咨律师事务所 11247
代理人：
于静;张亚非
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-04-16 | 公开 | 公开 |
| 2014-05-14 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582229807 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2013104783788 申请日:20131014 |
| 2020-10-02 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20131014 授权公告日:20170412 终止日期:20191014 |
| 2017-04-12 | 授权 | 授权 |
| 2017-11-24 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20171103 变更事项:专利权人 变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司 变更后权利人:格芯公司 变更事项:地址 变更前权利人:美国纽约 变更后权利人:开曼群岛大开曼岛 |
| 2017-11-24 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20171103 变更事项:专利权人 变更前权利人:国际商业机器公司 变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司 变更事项:地址 变更前权利人:美国纽约 变更后权利人:美国纽约 |