半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010154450.8

申请日：

2010-04-02

公开(公告)号：

CN101859707B

公开(公告)日：

2010-10-13

发明(设计)人：

L·塞卡里克 T·巴维克兹 D·齐达姆巴劳

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

李渤

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-04	授权	授权
2010-10-13	公开	公开
2010-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101018888603 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2010101544508 申请日:20100402

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·W·比德尔 ;

B·赫克玛特绍塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103730403B ,2014-04-16

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

戴维·V.·霍拉克 ;

马克·C.·哈克 ;

斯蒂芬·J.·霍姆斯 ;

古川俊治 ;

查尔斯·W.克伯格三世 ;

威廉·罗伯特·汤迪 .

中国专利 :CN1983530A ,2007-06-20

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

利迪贾·塞卡里克 ;

杜雷塞提·奇德姆巴拉奥 ;

刘小虎 .

中国专利 :CN101859770A ,2010-10-13

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105870183B ,2016-08-17

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

游政昇 ;

陈泓宇 ;

谢文元 .

中国专利 :CN120826006A ,2025-10-21

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘宇恒 ;

左明光 .

中国专利 :CN114023691B ,2022-02-08

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨智超 ;

S·M·盖茨 .

中国专利 :CN103579180A ,2014-02-12

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

J·B·常 ;

P·常 ;

A·马宗达 ;

J·W·斯雷特 .

中国专利 :CN103855090A ,2014-06-11

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

林玮 ;

S.斯科达斯 ;

T.A.沃 .

中国专利 :CN104218023B ,2014-12-17

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

J·B·常 ;

P·常 ;

M·A·古罗恩 ;

J·W·斯雷特 .

中国专利 :CN103855091B ,2014-06-11

← 1 2 3 4 5 →