半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210013964.4

申请日：

2022-01-07

公开(公告)号：

CN114023691B

公开(公告)日：

2022-02-08

发明(设计)人：

刘宇恒左明光

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L21764

IPC分类号：

H01L21762 H01L2906

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

陈万青;张颖玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/764 申请日:20220107
2022-04-19	授权	授权
2022-02-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·W·比德尔 ;

B·赫克玛特绍塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103730403B ,2014-04-16

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯道欢 ;

蒋懿 ;

肖德元 .

中国专利 :CN118870800A ,2024-10-29

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·阿塞法 ;

W·M·J·格林 ;

M·H·哈提尔 ;

Y·A·弗拉索夫 .

中国专利 :CN103576344A ,2014-02-12

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯道欢 ;

蒋懿 ;

肖德元 .

中国专利 :CN118870800B ,2025-09-19

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨智超 ;

S·M·盖茨 .

中国专利 :CN103579180A ,2014-02-12

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

林玮 ;

S.斯科达斯 ;

T.A.沃 .

中国专利 :CN104218023B ,2014-12-17

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

金容熙 ;

维杰伊·纳拉亚南 ;

瓦姆西·K·帕鲁查里 ;

米歇尔·L·斯蒂恩 ;

巴里·林德 ;

埃杜阿德·A·卡蒂尔 ;

卜惠明 ;

布鲁斯·B·多丽丝 .

中国专利 :CN101325203A ,2008-12-17

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

戴维·V.·霍拉克 ;

马克·C.·哈克 ;

斯蒂芬·J.·霍姆斯 ;

古川俊治 ;

查尔斯·W.克伯格三世 ;

威廉·罗伯特·汤迪 .

中国专利 :CN1983530A ,2007-06-20

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

L·塞卡里克 ;

T·巴维克兹 ;

D·齐达姆巴劳 .

中国专利 :CN101859707B ,2010-10-13

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯军宏 .

中国专利 :CN110854194A ,2020-02-28

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