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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911044053.2
申请日：
2019-10-30
公开(公告)号：
CN110660673A
公开(公告)日：
2020-01-07
发明(设计)人：
黄腾
申请人：
申请人地址：
430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2102
H01L2978
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
董琳;高德志
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-02-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20191030 |
| 2020-01-07 | 公开 | 公开 |