半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010529707.3

申请日：

2010-10-28

公开(公告)号：

CN102456739A

公开(公告)日：

2012-05-16

发明(设计)人：

朱慧珑骆志炯尹海洲梁擎擎

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L21762

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

马佑平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101274512619 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010105297073 申请日:20101028
2012-05-16	公开	公开
2015-09-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101720195496 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010105297073 申请公布日:20120516

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655398A ,2016-06-08

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

雒曲 ;

谢文浩 .

中国专利 :CN113690185A ,2021-11-23

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

武咏琴 ;

卜伟海 .

中国专利 :CN115472572A ,2022-12-13

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

王文博 ;

卜伟海 ;

俞少峰 .

中国专利 :CN103811322A ,2014-05-21

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

张军超 ;

徐政业 .

中国专利 :CN113539971B ,2021-10-22

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

张步新 ;

蔡孟峰 .

中国专利 :CN105826242A ,2016-08-03

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105870005B ,2016-08-17

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105990341B ,2016-10-05

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

阎大勇 ;

陈星 ;

王志高 .

中国专利 :CN118588716A ,2024-09-03

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