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半导体结构的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011311638.9
申请日：
2020-11-20
公开(公告)号：
CN114520148B
公开(公告)日：
2024-12-24
发明(设计)人：
王楠
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L29/78
H01L29/423
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-24 | 授权 | 授权 |