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一种半导体结构外延层的再生长方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411449882.X
申请日：
2024-10-17
公开(公告)号：
CN118969640A
公开(公告)日：
2024-11-15
发明(设计)人：
冷祥
李明欣
魏明
申请人：
无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
申请人地址：
214115 江苏省无锡市新吴区震泽路18-3号射手座A座5楼502室
IPC主分类号：
H01L21/56
IPC分类号：
H01L21/02
H01L21/67
H01L23/31
H01S5/02
代理机构：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250
代理人：
张妙琪
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
无锡市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-14 | 授权 | 授权 |
| 2024-12-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/56申请日:20241017 |
| 2025-04-18 | 专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):H01L 21/56变更事项:专利权人变更前:无锡市华辰芯光半导体科技有限公司变更后:浙江华辰芯光技术有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:江苏省无锡市新吴区震泽路18-3号射手座A座5楼502室变更后:312030 浙江省绍兴市柯桥区钱清街道联合国贸中心2701-3室 |
| 2024-11-15 | 公开 | 公开 |