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凹槽异质外延生长层制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510007212.0
申请日：
2025-01-02
公开(公告)号：
CN119811984A
公开(公告)日：
2025-04-11
发明(设计)人：
刘聪
董信国
申请人：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H01L21/311
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
余明伟
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-11 | 公开 | 公开 |
| 2025-04-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250102 |