用于SiC异质外延生长的原位刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510007128.5

申请日：

2015-01-07

公开(公告)号：

CN104576320A

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

吕红亮贾仁需王悦湖汤晓燕张玉明

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京亿腾知识产权代理事务所 11309

代理人：

李楠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611422083 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015100071285 申请日:20150107
2018-06-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20150429
2015-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

用于SiC异质外延生长的原位刻蚀方法 [P].

李百泉 ;

邱爱芹 .

中国专利 :CN105826173A ,2016-08-03

[2]

原位刻蚀方法 [P].

吕红亮 ;

贾仁需 ;

王悦湖 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104538296A ,2015-04-22

[3]

原位刻蚀方法 [P].

李百泉 ;

邱爱芹 .

中国专利 :CN105826165A ,2016-08-03

[4]

多型SiC异质外延生长制备3C-SiC方法 [P].

杜凯 ;

杨军伟 ;

郭松波 ;

宋华平 .

中国专利 :CN121183416A ,2025-12-23

[5]

SiC衬底同质网状生长Web Growth外延方法 [P].

贾仁需 ;

辛斌 ;

宋庆文 ;

张艺蒙 ;

闫宏丽 .

中国专利 :CN103489759B ,2014-01-01

[6]

异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P].

朱江鹏 ;

徐俞 ;

徐建喜 ;

王亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN120568935B ,2025-09-23

[7]

异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P].

朱江鹏 ;

徐俞 ;

徐建喜 ;

王亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN120568935A ,2025-08-29

[8]

氧化镓的异质外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797195B ,2025-12-02

[9]

SiC材料外延生长设备 [P].

张森 ;

费磊 .

中国专利 :CN213835528U ,2021-07-30

[10]

氧化镓的异质外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797195A ,2025-10-17

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