原位刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510007373.6

申请日：

2015-01-07

公开(公告)号：

CN105826165A

公开(公告)日：

2016-08-03

发明(设计)人：

李百泉邱爱芹

申请人：

申请人地址：

101111 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京亿腾知识产权代理事务所 11309

代理人：

李楠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-03	公开	公开
2016-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101676759889 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015100073736 申请日:20150107
2019-04-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20160803

共 50 条

[1]

原位刻蚀方法 [P].

吕红亮 ;

贾仁需 ;

王悦湖 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104538296A ,2015-04-22

[2]

用于SiC异质外延生长的原位刻蚀方法 [P].

吕红亮 ;

贾仁需 ;

王悦湖 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104576320A ,2015-04-29

[3]

用于SiC异质外延生长的原位刻蚀方法 [P].

李百泉 ;

邱爱芹 .

中国专利 :CN105826173A ,2016-08-03

[4]

提升网状生长Web Growth的刻蚀方法 [P].

贾仁需 ;

辛斌 ;

宋庆文 ;

张艺蒙 ;

闫宏丽 .

中国专利 :CN103474332A ,2013-12-25

[5]

一种利用氢气原位刻蚀提高氮化铝晶体质量的方法 [P].

罗伟科 ;

李亮 ;

李忠辉 .

中国专利 :CN104911713A ,2015-09-16

[6]

一种低位错原位刻蚀MOCVD二次外延生长方法 [P].

马骁宇 ;

赵碧瑶 ;

熊聪 ;

林楠 ;

刘素平 .

中国专利 :CN111180313A ,2020-05-19

[7]

一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法 [P].

罗伟科 ;

李亮 ;

李忠辉 ;

张东国 ;

彭大青 ;

董逊 .

中国专利 :CN103614769B ,2014-03-05

[8]

通过晶振实现对刻蚀样品原位刻蚀监控的方法及系统 [P].

张宝顺 ;

张志利 ;

蔡勇 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 ;

李维毅 .

中国专利 :CN105810615A ,2016-07-27

[9]

刻蚀方法 [P].

黄怡 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN103681393B ,2014-03-26

[10]

衬底刻蚀方法 [P].

张君 ;

李兴存 .

中国专利 :CN105719963A ,2016-06-29

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