InGaN/GaN异质外延结构及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810460567.5

申请日：

2018-05-15

公开(公告)号：

CN108598192A

公开(公告)日：

2018-09-28

发明(设计)人：

刘炜赵德刚陈平刘宗顺朱建军江德生杨静

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L310304

IPC分类号：

H01L310352 H01L3306 H01L3332

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤宝平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请日:20180515
2020-12-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请公布日:20180928
2018-09-28	公开	公开

共 50 条

[1]

外延结构及其生长方法 [P].

李永 ;

王耀国 .

中国专利 :CN102931303A ,2013-02-13

[2]

异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P].

朱江鹏 ;

徐俞 ;

徐建喜 ;

王亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN120568935B ,2025-09-23

[3]

异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P].

朱江鹏 ;

徐俞 ;

徐建喜 ;

王亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN120568935A ,2025-08-29

[4]

一种InGaN量子点的外延结构及生长方法 [P].

刘炜 ;

张杰 ;

张淑媛 ;

赵恒岩 ;

刘泽宇 .

中国专利 :CN113921666A ,2022-01-11

[5]

LED 外延结构及其生长方法 [P].

张宇 ;

赖穆人 .

中国专利 :CN103346226B ,2013-10-09

[6]

LED外延结构及其生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 ;

牛凤娟 .

中国专利 :CN104409590A ,2015-03-11

[7]

一种GaN基LED外延结构及其生长方法 [P].

罗绍军 ;

李鸿建 ;

艾常涛 ;

靳彩霞 ;

董志江 .

中国专利 :CN103337572A ,2013-10-02

[8]

一种GaN基白光外延结构及其生长方法 [P].

马野 ;

宋水燕 ;

邹声斌 ;

陈灵燕 ;

魏守进 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN116404081B ,2025-12-09

[9]

外延片及其生长方法 [P].

苏军 .

中国专利 :CN115312585A ,2022-11-08

[10]

一种GaN基LED的外延结构及其生长方法 [P].

罗绍军 ;

艾常涛 ;

靳彩霞 ;

董志江 .

中国专利 :CN103325902A ,2013-09-25

← 1 2 3 4 5 →