共 50 条
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異なる歪み状態を有するトランジスタチャネルを含む半導体層を製作する方法及び関連半導体層[ja]
被引：0
申请号：
JP20170514528
申请日：
2015-08-28
公开(公告)号：
JP2017532781A
公开(公告)日：
2017-11-02
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H01L21/20
H01L21/265
H01L21/336
H01L27/12
H01L29/786
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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