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窒化された界面層を有する半導体基板[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230501277
申请日
:
2021-07-06
公开(公告)号
:
JP2023532799A
公开(公告)日
:
2023-07-31
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C30B29/38
IPC分类号
:
C30B25/18
H01L21/20
H01L21/205
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
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法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
nドープ中間層を有する半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JP2022514918A
,2022-02-16
[2]
多層酸窒化物層を有する酸化物−窒化物−酸化物積層体[ja]
[P].
日本专利
:JP2015516678A
,2015-06-11
[3]
13族元素窒化物単結晶基板を有する積層体[ja]
[P].
日本专利
:JP7735525B2
,2025-09-08
[4]
分割窒化物メモリ層を有するSONOS積層体[ja]
[P].
日本专利
:JP2015517211A
,2015-06-18
[5]
パターニングされた有機半導体層[ja]
[P].
日本专利
:JP2015513209A
,2015-04-30
[6]
半導体接触層を有する光電子半導体部品および光電子半導体部品を製造するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021534590A
,2021-12-09
[7]
III族元素窒化物半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JP7724844B2
,2025-08-18
[8]
III族元素窒化物半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JP7254962B2
,2023-04-10
[9]
III族元素窒化物半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JP6978641B1
,2021-12-08
[10]
半導体デバイス用の、選択された分極を有する誘電体材料を形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023538535A
,2023-09-08
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