窒化された界面層を有する半導体基板[ja]

被引:0
申请号
JP20230501277
申请日
2021-07-06
公开(公告)号
JP2023532799A
公开(公告)日
2023-07-31
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C30B29/38
IPC分类号
C30B25/18 H01L21/20 H01L21/205
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
nドープ中間層を有する半導体基板[ja] [P]. 
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[3]
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[4]
分割窒化物メモリ層を有するSONOS積層体[ja] [P]. 
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[5]
パターニングされた有機半導体層[ja] [P]. 
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[7]
III族元素窒化物半導体基板[ja] [P]. 
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[8]
III族元素窒化物半導体基板[ja] [P]. 
日本专利 :JP7254962B2 ,2023-04-10
[9]
III族元素窒化物半導体基板[ja] [P]. 
日本专利 :JP6978641B1 ,2021-12-08